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英飞凌热门型号:BSO200N03
图片信息
BSO200N03图片
Infineon公司
基本参数:
  • 制造商:Infineon(英飞凌)
  • 出厂封装:PG-DSO-8
  • 功能类别:场效应管阵列
  • (英飞凌优势供应商,快速报价,承诺真正原装正品!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
  • 参数详情:

    Infineon英飞凌公司完整型号:BSO200N03
    制造厂家名称:Infineon Technologies
    描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
    系列:OptiMOS?
    FET 类型:2 个 N 沟道(双)
    FET 功能:逻辑电平门
    漏源极电压 (Vdss):30V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.6A
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 7.9A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 13μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8nC @ 5V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1010pF @ 15V
    功率 - 最大值:1.4W
    安装类型:表面贴装
    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
    供应商器件封装:PG-DSO-8

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