英飞凌热门型号:IPB057N06N
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基本参数:
参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:IPB057N06N
制造厂家名称:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Ta),45A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2000pF @ 30V
功率 - 最大值:3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:PG-TO263-3

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