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静电保护和浪涌电压保护芯片 - 英飞凌(Infineon)
Infineon静电保护和浪涌电压保护芯片

当今的消费电子设备中,静电保护(ESD)对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS(瞬变电压抑制)二极管,以从系统层面保护电子设备。

 

英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列,力求在超小型封装内,以极具竞争力的价格提供一流的保护性能,同时质量水平高,性能稳健。

 

多用途ESD系列:

ESD200-B1-CSP0201

ESD202-B1-CSP01005

ESD230-B1-W0201

ESD231-B1-W0201

 

低电容ESD系列:

ESD108-B1-CSP0201

ESD119-B1-W01005

ESD128-B1-W0201

ESD130-B1-W0201

ESD129-B1-W01005

 

英飞凌为您提供的不仅仅是性能一流的产品,还包括最优质的服务。无论是远程协助还是现场支持,我们均能为您的设备提供最周密的保护。英飞凌可在全球各地的实验室内分析您的设备,确定其静电灵敏度,并为其制定最佳保护方案。

 

来自英飞凌ESD专家的独特服务

本地ESD实验室和专家咨询服务

通过美国、亚太和欧洲的实验室网络提供全球24小时支持

亮点

英飞凌区域ESD实验室和相关服务机构遍布全球:

 

美国:米尔皮塔斯

欧洲:慕尼黑

韩国:首尔

中国:上海、深圳

台湾:台北

凭借遍布全球的ESD实验室和专家团队,英飞凌可快速为您需要保护的元件或系统匹配到完美的静电保护器件。

 

英飞凌专为高速数据线(如USB、HDMI)和RF天线(如NFC、GPS、WLAN等)提供保护器件,电容最低且信号完整性(或信号质量)最优。

 

低电容TVS二极管性能一览:

 

最低的电容

单向和双向ESD二极管

封装小至01005级别

极低的漏电流

 

英飞凌提供多种多用途静电保护器件,以保护键盘、显示器、音频接口和电源线等应用。

 

多用途TVS二极管性能一览:

 

最低的箝位电压

单向和双向ESD二极管

封装小至01005级别

极低的漏电流

高静电吸收

 

英飞凌提供一系列可靠的方法以保护敏感的电子设备,使其不受浪涌、静电放电(ESD)和快速瞬变脉冲群(EFT)的影响。

 

浪涌保护器件性能一览:

 

浪涌和快速瞬变脉冲群(EFT)保护能力达到IEC61000-4-4和IEC61000-4-5标准

高达±30kV的静电吸收能力,适用于要求耐用性的工业应用

超低箝位电压,因而反应迅速

漏电流极低,是电池友好型二极管

可作为小外形规格的单线器件使用,或多线排布构成保护阵列

英飞凌公司被热门关注的产品(2024年4月25日)
IKD08N65ET6ARMA1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
PTFA192401FV4XWSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
封装:2-扁平封装,叶片引线,带法兰
TLE8457BLEXUMA1
接口 - 驱动器,接收器,收发器
产品封装:8-TDFN
SAF-XC164GM-16F20F BA
嵌入式 - 微控制器
产品封装:64-LQFP
IPD30N03S2L07ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO252-3
BUZ32 H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO220-3
IPD80R1K4CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO252-3
IPU60R1K0CEAKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO251-3
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