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BSL205N L6327 图片
BSL205N L6327
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:场效应管阵列,PG-TSOP6-6
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
  • (专注销售英飞凌电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:BSL205N L6327
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.5A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):419pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商器件封装:PG-TSOP6-6
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