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产品参考图片
BSO203SP 图片
BSO203SP
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:单端场效应管,P-DSO-8
  • 技术参数:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:BSO203SP
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):21 毫欧 @ 9A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2265pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.35W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:P-DSO-8
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