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BSS138N H6327 图片
BSS138N H6327
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:单端场效应管,PG-SOT23-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 230mA SOT23
  • (专注销售英飞凌电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:BSS138N H6327
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 230mA SOT23
  • 系列:SIPMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):230mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 230mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 26μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):41pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:360mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:PG-SOT23-3
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