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产品参考图片
IGD01N120H2 图片
IGD01N120H2
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:单路IGBT,PG-TO252-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
  • (专注销售英飞凌电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IGD01N120H2
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.2A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):3.5A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V,1A
  • 功率 - 最大值:28W
  • Switching Energy:140μJ
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:8.6nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:13ns/370ns
  • Test Condition:800V, 1A, 241 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
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