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IKD06N60RATMA1
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 技术参数:IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IKD06N60RATMA1
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:TrenchStop?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):12A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):18A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,6A
  • 功率-最大值:100W
  • 开关能量:110μJ(开),220μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:48nC
  • 25°C时Td(开/关)值:12ns/127ns
  • 测试条件:400V,6A,23 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):68ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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