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Infineon
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产品参考图片
IPB090N06N3 G 图片
IPB090N06N3 G
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:单端场效应管,PG-TO263-2
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  • (专注销售英飞凌电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IPB090N06N3 G
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 34μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2900pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:71W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-2
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