英飞凌热门型号:IPD50N04S4L-08
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基本参数:
参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:IPD50N04S4L-08
制造厂家名称:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 17μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2340pF @ 25V
功率 - 最大值:46W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:PG-TO252-3-313

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