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IPF06N03LA G 图片
IPF06N03LA G
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:P-TO252-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IPF06N03LA G
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:OptiMOS?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.7 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 40μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):22nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2653pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:P-TO252-3
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