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IRF6645TR1PBF
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DIRECTFET? SJ
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IRF6645TR1PBF
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:HEXFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):5.7A(Ta),25A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 5.7A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.9V @ 50μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):890pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.2W(Ta),42W(Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DIRECTFET? SJ
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