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功率器件 - 英飞凌(Infineon)
Infineon功率器件

英飞凌提供涵盖从微功率级到兆瓦级解决方案,拥有卓越的能源效率。英飞凌为客户提供高度可靠的IGBT、功率MOSFET、分立式功率器件、保护开关、驱动、IGBT模块、智能功率模块(IPM)、线性稳压器、电机控制解决方案、LED驱动器及各种形式的AC/DC转换器、DC/DC转换器和数字功率转换等产品及解决方案。

 

英飞凌提供低压和高压栅极驱动芯片及解决方案,以实现对IGBT和MOSFET器件高效而可靠的控制。作为高速驱动解决方案,英飞凌DC-DC低压栅极驱动能够在运算和通信负载点等领域实现对双功率MOSFET器件的驱动,并且可根据设计需求和应用条件对系统效率进行调整。您还可以参考英飞凌面向CoolMOS™ MOSFET、分立式IGBT器件以及适用于大部分工业应用的模块的高性能隔离栅驱动芯片及EiceDRIVER™产品。

 

英飞凌提供采用压接式封装或模块化外壳的晶闸管及二极管产品,为电力驱动、软启动电压、通用电源以及复杂程度更高的电能传输系统等高功率应用带来稳定而可靠的表现。

 

得益于领先的技术,英飞凌提供了包括裸片、分立器件、模块及堆栈在内的全系列IGBT产品。依托于丰富的产品系列,英飞凌为您的工业应用(通用逆变器、太阳能及风力发电逆变器、UPS、焊接、感应加热装置和SMPS系统)提供可靠而高效的解决方案。同时,在包括电饭煲、微波炉、电磁炉以及空调系统等消费领域,英飞凌的IGBT产品同样能够胜任。此外,英飞凌的汽车级分立式IGBT及模块可用于压电注射、HID照明、泵以及小型电机等应用。

 

该功率级产品拥有最高等级的效率和功率密度,例如DrMOS和DrBlade。得益于DrBlade产品所采用的Blade芯片嵌入技术,英飞凌实现了高度紧凑的集成式MOSFET半桥驱动方案。

 

英飞凌MOSFET系列包含汽车级MOSFET、功率MOSFET和RF MOSFET等产品。面向汽车应用的OptiMOS™采用领先的MOSFET技术和稳定的封装,拥有一流的性能和卓越的载流能力。在电源应用领域,OptiMOS™ 20V-250V在系统设计关键参数(如导通电阻和品质因数)方面的表现始终是行业标杆。革命性CoolMOS™ 500V-900V功率产品系列在能源效率层面设立了全新的行业标准,显著降低了传导和开关损耗,从而提高了大功率转换系统的功率密度和效率。

 

与常用的硅(Si)相比,SiC器件为高压功率半导体带来诸多优势。英飞凌CoolSiC™肖特基二极管产品涵盖600V-1200V电压区间,为多个领域内解决方案的效率和系统成本带来优化,例如服务器、通信、太阳能、照明、消费电子、PC电源和AC/DC转换。凭借革命性CoolSiC™ 1200V SiC JFET系列产品及其Direct Drive技术,英飞凌以其卓越的领先科技助力设计人员将解决方案的效率提升至前所未有的高度。此外,客户还可以选择搭载SiC续流二极管的高效率IGBT功率模块。

英飞凌公司被热门关注的产品(2023年2月4日)
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IPI100N08S207AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO262-3
BFR 183T E6327
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TLF80511EJV50XUMA1
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