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射频和无线控制 - 英飞凌(Infineon)
Infineon射频和无线控制

得益于英飞凌独特的射频技术,英飞凌的无线产品可应用于多个领域中。依托于几十年来在射频领域积攒的丰富经验,英飞凌为客户提供具有系统优势(例如高速数据、射频灵敏度、能耗及成本)的射频解决方案。

 

低噪放大器、RF开关和天线中心设备等产品拥有良好性能,延长移动设备的电池寿命。英飞凌旗下的射频分立器件为消费电子和新兴无线领域中的诸多应用提供令人满意的系统性能。

 

英飞凌的射频功率器件不仅满足蜂窝设施的要求,而且支持航空电子器件等雷达应用。请了解更多关于英飞凌汽车级雷达解决方案(如盲点检测)以及适用于工业和消费领域中的雷达传感器。

 

无线控制已成为英飞凌日常生活中不可或缺的一部分。无论是远程无钥匙进入、车库门执行装置还是火灾报警器,无线设备是实现经济高效的稳健的解决方案,在众多应用中得到了验证。

 

请在您的射频应用中使用英飞凌最新的MMIC系列产品,以增强接收器的敏感度并为用户提供卓越的使用体验。英飞凌对MMIC LNA产品进行持续更新以帮助客户在各个应用中的产品始终能够满足不断变化的市场需求。英飞凌的MMIC产品采用最小尺寸封装,兼顾ESD保护和低功率损耗,是由电池供电的移动设备的理想之选。此外,英飞凌的SiGe创新技术相比于硅质器件噪声更低,同时拥有可媲美价格更贵的GaAs器件的性能。

 

MMIC的上述优点将助力您显著提高系统灵敏度,并且使用3G/4G、GPS、移动电视、Wi-Fi及FM便携设备的用户将感受到诸多用户体验的提升,例如高速获取信息、快速精准的导航效果和清晰的电视信号接收。如用户手册中所描述,即使在例如密集城区、地下和室内等接收条件较差的环境下,MMIC仍然能够为用户带来最佳的使用体验。

 

英飞凌天线中心设备可显著改善移动蜂窝设备的数据速率,同时最大限度地降低设备功耗。覆盖更宽的频率范围成为当今3G/4G智能手机的必备能力,而每个多频带天线的尺寸必须降至最低。英飞凌天线中心器件在频带内能够优化天线性能,从而改善较弱信号的接收和辐射效率,因此间接降低了功率放大器的电流消耗。

 

英飞凌的天线中心设备支持低Ron值和高电压处理能力的电压阻抗。英飞凌的天线中心设备可用于GPIO(通用输入/输出)和标准化的MIPI RFFE(用于RF前端的移动行业处理器接口)接口。

 

十多年来,英飞凌科技为所有射频领域铺平了道路,树立了市场标准。

 

自从1973年进入市场以来,英飞凌射频晶体管已被广泛应用在低频(频率上限为5 GHz)和中频(频率上限为14 GHz)应用中。

 

低噪放大器(LNA)产品系列包括适用于传统射频应用的器件,例如从AM到VHF/UHF的产品,包括消费领域的低端市场(如有线电视和调谐器)以及新兴的无线应用工业领域。

 

得益于良好的性能、卓越的通用性和多种封装方案(包括行业标准SOT和无引脚超小型TSLP和TSFP),该产品可用于受空间限制设计场景中,为设计人员提供多种选择和灵活的设计理念,从而实现在最短的时间内将产品推向市场。

 

英飞凌RF晶体管拥有出色的稳健性、产品质量及可靠性,同时价格具有吸引力。

 

英飞凌提供多种射频开关,为3G/4G手机及其它电池供电系统等移动应用服务。该产品系列包含了从简单的单刀双掷(SPDT, Single-Pole/Dual-Throws)开关到高度复杂的双刀多掷(DPxT, Dual-Pole/Multi-Throw)开关在内的多种形式。射频开关支持GPIO和MIPI RFFE两种不同的接口,及由这两种接口控制的开关交叉功能。英飞凌的开关基于射频应用设计,也考虑了3G/4G蜂窝系统收发路径多波段配置(如载波聚合)的需求。

 

基于Bulk CMOS技术的射频开关已在多家工厂大规模生产中的得到验证。该开关有两种不同的封装可供选择:方便PCB印刷电路板安装的小尺寸塑封和方便高度集成模块的芯片级封装(CSP)。

英飞凌公司被热门关注的产品(2022年10月3日)
IRFHM830DTR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PQFN(3x3)
BGSX212MA18E6327XTSA1
射频开关
封装:18-UFQFN
IPW60R080P7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO247-3
SPI100N03S2L03
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO262-3-1
IRFSL23N15DPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:TO-262
IPD30N06S2L13ATMA4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO252-3-11
IPU60R950C6AKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO251-3
IKW75N65ES5XKSA1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
封装:TO-247-3
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