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AIHD04N60RFATMA1
- 制造厂商：英飞凌（Infineon）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术参数：IC DISCRETE 600V TO252-3
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AIHD04N60RFATMA1技术参数详情：
- 制造商产品型号：AIHD04N60RFATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：8A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：12A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，4A
- 功率-最大值：75W
- 开关能量：60J（开），50J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：27nC
- 25°C时Td（开/关）值：12ns/116ns
- 测试条件：400V，4A，43 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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