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BSC360N15NS3 G
- 制造厂商：英飞凌（Infineon）
- 类别封装：单端场效应管，PG-TDSON-8
- 技术参数：MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
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BSC360N15NS3 G技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSC360N15NS3 G
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
- 系列：OptiMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：150V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：33A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 45A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1190pF @ 75V
- 功率 - 最大值：74W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：PG-TDSON-8
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