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BSS84IXUSA1
- 制造厂商：英飞凌（Infineon）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PG-SOT23-3-U03
- 技术参数：BSS84IXUSA1
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BSS84IXUSA1技术参数详情：
- 型号:BSS84IXUSA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-SOT23-3-U03
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:BSS84IXUSA1
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta），290mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 180mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 11A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:780 pC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），960mW（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-SOT23-3-U03
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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