FD-DF80R12W1H3_B52技术参数详情:
- 制造商产品型号:FD-DF80R12W1H3_B52
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:IGBT MOD 1200V 40A 215W
- 系列:晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态:有源
- IGBT类型:沟槽型场截止
- 配置:单路
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
- 功率-最大值:215W
- 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
- 电流-集电极截止(最大值):1mA
- 不同Vce时输入电容(Cies):235nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:底座安装
- 封装:模块
- 现在可以订购FD-DF80R12W1H3_B52,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。