IAUTN08S5N012LATMA1技术参数详情：
- 型号:IAUTN08S5N012LATMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-HSOF-8-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道，共漏，共源
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.3V @ 275A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15340pF @ 40V
- 功率 - 最大值:375W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerSFN
- 供应商器件封装:PG-HSOF-8-2
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