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IKB03N120H2
- 制造厂商：英飞凌（Infineon）
- 类别封装：单路IGBT，PG-TO263-3-2
- 技术参数：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
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IKB03N120H2技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IKB03N120H2
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
- 系列：-
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：9.6A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：9.9A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.8V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值：62.5W
- Switching Energy：290J
- 输入类型：标准
- Gate Charge：22nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：9.2ns/281ns
- Test Condition：800V, 3A, 82 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：42ns
- 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件封装：PG-TO263-3-2
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