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IKD08N65ET6ARMA1
- 制造厂商：英飞凌（Infineon）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:PG-TO252-3
- 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
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IKD08N65ET6ARMA1技术参数详情：
- 型号:IKD08N65ET6ARMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-TO252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:47 W
- 开关能量:110J（导通），40J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:17 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/59ns
- 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):43 ns
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:PG-TO252-3
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