IMBG75R050M2HXTMA1技术参数详情：
- 型号:IMBG75R050M2HXTMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-TO263-7-12
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:IMBG75R050M2HXTMA1
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:840 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 17.2A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.6V @ 3.8mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+23V，-7V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:865 pF @ 500 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-TO263-7-12
- 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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