IMZA120R020M1HXKSA1技术参数详情：
- 型号:IMZA120R020M1HXKSA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-TO247-4-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SIC DISCRETE
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26.9 毫欧 @ 41A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.2V @ 17.6mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+20V，-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3460 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:PG-TO247-4-8
- 封装/外壳:TO-247-4
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