IPB029N06N3 G E8187技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IPB029N06N3 G E8187
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- 系列：OptiMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 118A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：165nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13000pF @ 30V
- 功率 - 最大值：188W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：PG-TO263-3
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