IPB95R450PFD7ATMA1技术参数详情：
- 型号:IPB95R450PFD7ATMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-TO263-3-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 7.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 360A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1230 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-TO263-3-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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