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IPI120N04S4-01M
- 制造厂商:英飞凌(Infineon)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:-
- 技术参数:MOSFET N-CH TO262-3
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IPI120N04S4-01M技术参数详情:
- 型号:IPI120N04S4-01M
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH TO262-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压(Vdss):-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:-
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:-
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
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